数日前の記事で、「シリコンウエハのコストが大きく下がっている」と書いたが、通常結晶シリコンウエハのコストを下げる為には(1)「シリコンインゴット」を安く作る、(2)のこぎりでインゴットをスライスにする時に「削りカス(kerf)」を極力出ない様にする、(3)スライスする際にウエハを「極限まで薄く」する等の手法が取られる。
インゴットからウエハをスライスして作る方法以外では、溶かしたシリコンから薄いフィルムのような「シリコンの板」を「引き出し法」で作る手法も取られる。これは「1366 Technology」等で実用化されつつある。
で、「Scifiniti社」という極めて薄いシリコンウエハを製造する技術を開発しているベンチャー企業が、$10 MillionのVC投資を受けたというニュース。
今回が2回目の資金調達で、これまでの合計調達額が$20 Millionとのこと。
従業員は22人。
安い導電性の基板の上に、まずは「バリア層と反射層(ここで太陽光が反射する)」を形成し、さらにその上に「多結晶シリコン」をドーピングし、それを再結晶させるらしい。 (下図２つは、scifiniti社のウエブサイトから借用）
シリコンの厚さはわずか30~40 micronsで、1ワットあたりのシリコンの量は0.5グラムとか。
元ネタはこちら。
